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BSO615CGXUMA1  与  BSO615C G  区别

型号 BSO615CGXUMA1 BSO615C G
唯样编号 A-BSO615CGXUMA1 A-BSO615C G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N/P-CH 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 70mΩ,190mΩ
上升时间 - 75ns,105ns
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
Qg-栅极电荷 - 22.5nC,20nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 2.25S,1.2S
典型关闭延迟时间 - 25ns,125ns
FET类型 - N+P-Channel
连续漏极电流Id - 3.1A,2A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
系列 - BSO615
长度 - 4.9mm
下降时间 - 18ns,90ns
典型接通延迟时间 - 16ns,24ns
高度 - 1.75mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSO615CGXUMA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

车规

暂无价格 0 当前型号
BSO615C G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO615CGHUMA1_60V 3.1A,2A 70mΩ,190mΩ 20V 2W N+P-Channel -55°C~150°C

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